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外延片

CEESCH-GaN

• 厚的半絕緣GaN層基板材料和直徑的選擇。產品是適合加工肖特基氮化鎵整流器。

CEEFET-20AlGaN-NoSiN

• GaN HEMT的結構與20％的AlGaN勢壘罪基板材料和直徑的選擇沒有任何原位鈍化層。此產品適用于處理HEMT的開關。

CEEFET-23AlGaN-NoSiN

• GaN HEMT的結構與23％的AlGaN勢壘罪基板材料和直徑的選擇沒有任何原位鈍化層。此產品適用于處理HEMT的開關。

CEEFET-26AlGaN-NoSiN

• GaN HEMT的結構與26％的AlGaN勢壘罪基板材料和直徑的選擇沒有任何原位鈍化層。此產品適用于處理HEMT的開關。

CEEFET-20AlGaN-SiN

• GaN HEMT的結構與20％的AlGaN勢壘和原位氮化鈍化層基板材料和直徑的選擇。此產品適用于處理HEMT的開關。

CEEFET-23AlGaN-SiN

• GaN HEMT的結構，23％的AlGaN勢壘和原位氮化鈍化層基板材料和直徑的選擇。此產品適用于處理HEMT的開關。

CEEFET-26AlGaN-SiN

• GaN HEMT的結構與26％的AlGaN勢壘和原位氮化鈍化層基板材料和直徑的選擇。此產品適用于處理HEMT的開關

Custom

• 基板材料和直徑的選擇所需的氮化鎵，氮化鋁鎵和AlN層的組合組成的自定義的外延層。鐵或氮摻雜GaN緩沖層可以減少緩沖區漏電流。 Mg摻雜和含合金是目前無法使用。

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